一、平臺歷史背景

       測試方法光電器件食材的霍爾效用是表現和探討光電器件食材的至關重要科技手段。我們公司是都可基于霍爾公式的英文符號來分辨光電器件食材的導電類行，是N型還P型；霍爾效用從品牌定位本質上上講是田徑運動的有電微粒在人體磁體中受洛侖茲佳作用而引發的偏轉。當有電微粒（電子元器件或空穴）被定義在膠體食材中，此類偏轉就誘發在重直于功率和人體磁體的方往右出現正負符號帶電粒子的聚積，最后確立額外增加的橫排磁場。基于霍爾公式簡答與高溫的聯系是都可統計載流子的氨水氧濃度值，或是載流子氨水氧濃度值同高溫的聯系，對此是都可確保食材的禁網絡帶寬度和溶物電離能；可以通過霍爾公式和電容率的聯動校正才可以確保載流子的變更率，用微分霍爾效用法可測橫向載流子氨水氧濃度值布置；校正低溫環境霍爾效用是都可確保溶物賠償標準度。

       與其它檢查各種各種不同的是霍爾運作檢查中檢查點多、聯系繁復，測算方式量大，需再加上環境溫度因素和電磁波區域等基本特征，抱歉前提下，人工機械檢查都是不也許成功的。霍爾定律檢查體系可以保證幾百到至幾萬塊點的多運作自功開啟側量，體系由Precise S系類源表，2700 矩陣的值開關按鈕和霍爾定律檢查小軟件 Cyclestar 等形成。可在各種各種不同的電磁波、環境溫度因素和電壓下按照其檢查效果測算方式出電容率、霍爾彈性系數、載流子酸度和霍爾挪動率，并設計的數據圖。

二、計劃共同點

       1、原則裝置可通過在各不相同電場和各不相同工作電流經濟條件下的霍爾不確定性和電阻功率的估測；

       2、測試方法和統計步驟由系統自動化審理，要體現 數據源和折線；

       3、取舍變溫選件，需要進行各個體溫環境下的霍爾調節作用和內阻的在線測量；

       4、阻值測試面積：0.1mW—50MW。

三、測試軟件的原材料

       1、半導體芯片原料：SiGe, SiC, InAs, InGaAs, InP, AlGaAs, HgCdTe和鐵氧體原料等；

       2、高輸出阻抗文件：半隔絕的 GaAs, GaN, CdTe 等；

       3、低電阻值原料：合金金屬、合理氧化反應物、弱磁體半導體產品原料、TMR 原料等。

四、機系統關鍵技術

       霍爾負效應檢查操作系統重要是對霍爾功率器件的 I-V 檢測的，再依據各種重要性參數設置來計算方法出相對的值。

       熱敏功率內阻率：范德堡法校正熱敏功率內阻率必須要 緊緊圍繞樣件實施 8 次校正。 工業 1、2 加直流電工業 4、3 測直流輸出功率值，和工業 2、3 加直流電工業 1、4 測直流輸出功率值，贏得的熱敏功率內阻率叫作 ρA；收起來工業 3、4 加直流電工業 2、1 測直流輸出功率值，和工業 4、1 加直流電工業 3、2 測直流輸出功率值，贏得的熱敏功率內阻率叫作 ρB。倘若樣件均， ρA 和 ρB 十分比較敏感，求鳥卵的最低值值 即能贏得樣件的熱敏功率內阻率 ρav =( ρA + ρB ) / 2。

 五、控制系統構成

六、整體分配

       源表：2臺雙渠道SMU；

       聯系線：237-ALG-2，Triax轉獅子夾聯系線。

七、功能表說

       1、可開展霍爾調節作用、I-V 特質、R-T 特質和 R-M 特質的衡量；

       2、必須得要出性能指標： 方塊熱敏電容、 熱敏電容率、 霍爾彈性系數、 霍爾變遷率、 載流子鹽濃度和導電類形；

       3、 R-T 基本特點—固定住電場，內阻隨溫差而影響的基本特點的身材曲線；

       4、R-M 的特點—特定溫差，電阻功率隨磁感線而轉變 的的特點曲線圖；

       5、弧線繪出實用功能：I-V 屬性—在與眾不一電磁波和與眾不一氣溫情況下的 I-V 屬性弧線；

       6、R-T 屬性—統一電磁場，電容隨攝氏度而發生變化的屬性弧度；

       7、R-M 性能—統一室內溫度，阻值隨電磁場而波動的性能曲線圖。