盛夏已過，初秋開場

十月的高的溫度還及時不散日常也免不得被繁復的本職工作獻祭

高壓變壓器大工作效率(6500V/3000A)IGBT測試方法難？伴跟隨項目流程符合要求急、的任務重、符合要求高建設項目師們重壓山大...

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搞懂這幾個問題，輕松解決測試難題！

1、IGBT從硅(Si)到碳化硅(SiC)，測試條件向高壓大功率轉變

SiC絕緣擊穿場強是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，飽和電子漂移速率是Si的2倍；與600V～900V的Si MOSFET 相比，SiC MOSFET能夠實現“高耐壓”、“低導通電阻”、“高頻”這三個特性。因此，高壓大功率的IGBT單管、半橋模塊，測試條件需要達到6500V/3000A。

2、掃描模式對閾值電壓漂移的影響

因SiC與Si特征的有所差異，SiC MOSFET的域值端交流電流電壓有時快時慢界定，在器材檢查時候中域值端交流電流電壓都會有顯眼漂移，導致其電使用性能檢查甚至高溫天氣柵偏試驗裝置后的電檢查結論頻發依耐于檢查生活條件。從而域值端交流電流電壓的精準檢查，目前穩定性檢查手段有：

3、脈寬和溫度對導通電阻的影響

導通電阻值 RDSon為關系元件辦公時導通耗率的一注重特殊性參數指標，其最低值會隨 VGS 及及T的變換而改進。

4、FIMV、FVMI 對測試的影響

限流自我保護就可以將電阻值或電壓電流局限在SOA區域性，預防集成電路芯片搞壞或炸管。

公測前提條件：800V 恒壓 10μA 限流

測量狀況：100μA 恒流1000V限壓

5、等效電阻對導通壓降測試的影響

? 開爾文（Kelvin）電流值監測集成運放將不斷提高導通電壓值測量導致精度；? SOCKET與PIN交往內阻器、測式引線導通內阻器。

6、等效電感對導通壓降測試的影響

? 電感過大，電流量正弦波形震蕩；? 配電線路等效電感、DUT等效電感。

7、線路等效電容對測試的影響

? 硬性同軸電線的等效電容器與DUT串聯，SMU檢測時回落已經穩定的時長長；? 三同軸電線等效電感可以說為0。

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