前言

        2023年，世界各國半導體電子元件設備電子元件材料領域了結累計高的增加，已經開始整改頻次。與此制定比照，在新自然能源客車、光伏發電、存儲等需要撬動下，其3代試管半導體電子元件設備電子元件材料領域保持著高趨勢，世界各國化廠家直銷鏈采集裝修標準真正制定，爭奪性新格局迅速制定，領域初入高速升級期。而中國內地其3代試管半導體電子元件設備電子元件材料領域進行初期產值召開會議和產線搭建，傳統其3代試管半導體電子元件設備電子元件材料護膚品接連研發順利完成并順利通過確認，高技術平穩提拔，產值持續緩解壓力，傳統炭化硅(SiC）電子元件及組件已經開始“上機”，生態環境采集裝修標準慢慢地進一步完善，自主經營可控硅調光的能力持續開展，全局爭奪性自我實力急劇提拔。

1、產能釋放，第三代半導體產業即將進入”戰國時代”

       《2022再者代光電器件服務業進展行業研究報告》彰顯，22年目前世界各國再者代光電器件工率自動化和徽波頻射二個方面提高總總值141.71億，較202一年增加11.7%，生產量不息解放。里面，SiC生產量增加翻倍，GaN生產量增加超30%，新批進行投資擴產預計較202一年相比增加36.7%。一同，隨著時間的推移電動四輪機動車行業怏速增加，太陽能發電、儲能電池各種需求拉高，22年目前世界各國再者代光電器件工率自動化和徽波頻射行業總規模較提高194.21億，較202一年增加34.5%。里面，工率光電器件行業高出105.51億，徽波頻射行業約88.61億。

        開展，20212個月將是三四代半導體設備異彩紛呈的12個月，領域將愛的永恒一名“技木快速的的進步英語、文化產業快速的的漲幅、形勢大甩牌”的“三國的時代”。

2、SiC、GaN功率器件成為支撐電子信息技術發展的生力軍

        作為新一代半導體材料，碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）具有傳統Si材料無可比擬的優勢，其禁帶寬度是Si的3倍左右，擊穿場強約為Si的10倍，功率高、載流子遷移率高、飽和電子速度快、耐高溫高壓、高能效、低損耗等優異特性，滿足高電壓、高頻率場景。

        從新能源汽車到光伏儲能，從軌道交通到移動電源，從數據中心到通訊基站，基于第三代寬禁帶半導體材料的功率器件發揮著關鍵作用。功率半導體器件是電力電子技術發展的重要組成部分，是電力電子裝置實現電能轉換、電源管理的核心器件，主要功能有變頻、變壓、整流、功率轉換和管理等，兼具節能功效。尤其是在目前技術競爭和節能環保的大環境下，第三代半導體已經成為全球大國博弈的焦點。

        另外，3代寬禁帶半導體器件芯片素材的鉆研也扎實推進著LED照明系統設計產業化的不斷發展的不斷的不斷發展，從Mini-LED到Micro-LED，連續影向半導體器件芯片照明系統設計產業化的不斷發展，還在大功效激光行業器、紫外光消毒/探測系統層面引領注重要的功用。

3、SiC、GaN布局提速，功率器件靜態參數測試如何破局？

        迄今為止，功效電子電子元件器材市場上表出現出版塊化化和版塊化、高工作工作電壓指標和高確切性、多電平系統、新式的器材結構特征和加工工藝、自動化化和可構建等進展上升趨勢和進展趨勢。功效電子電子元件器材充當軟件應用于嚴峻學習環境下的高功效密度計算器材，對器材確切性非常符合想要至于每個電子電子元件器材的前茅。所以，對器材脫貧攻堅的性能參數指標指標測評非常符合想要、非常符合食用場地的確切性測評標準、確切的失靈研究原則將效果的優化功效電子電子元件器材類產品的性能參數指標指標及確切性表現。

        不同材料、不同技術的功率器件的性能差異很大。市面上傳統的測量技術或者儀器儀表一般可以覆蓋器件特性的測試需求。但是寬禁帶半導體器件碳化硅（SiC）或氮化鎵（GaN）的技術卻極大擴展了高壓、高速的分布區間，如何精確表征功率器件高流/高壓下的I-V曲線或其它靜態特性，這就對器件的測試工具提出更為嚴苛的挑戰。

4、基于國產化數字源表的SiC/GaN功率半導體器件靜態參數測試解決方案

        靜態參數主要是指本身固有的，與其工作條件無關的相關參數。靜態參數測試又叫穩態或者DC（直流）狀態測試，施加激勵(電壓/電流)到穩定狀態后再進行的測試。主要包括：柵極開啟電壓、柵極擊穿電壓、源極漏級間耐壓、源極漏級間漏電流、寄生電容(輸入電容、轉移電容、輸出電容)，以及以上參數的相關特性曲線的測試。

        圍繞第三代寬禁帶半導體靜態參數測試中的常見問題，如掃描模式對SiC MOSFET 閾值電壓漂移的影響、溫度及脈寬對SiC MOSFET 導通電阻的影響、等效電阻及等效電感對SiC MOSFET導通壓降測試的影響、線路等效電容對SiC MOSFET測試的影響等多個維度，針對測試中存在的測不準、測不全、可靠性以及效率低的問題，普賽斯儀表提供一種基于國產化高精度數字源表(SMU)的測試方案，具備更優的測試能力、更準確的測量結果、更高的可靠性與更全面的測試能力。具有高電壓和大電流特性、μΩ級導通電阻精確測量、nA級電流測量能力等特點。支持高壓模式下測量功率器件結電容，如輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容等。

①P300高精度脈沖源表

- 脈沖直流，簡單易用

- 依據廣，高至300V低至1pA- 超小脈沖激光間距200μs- 準確性度為0.1%

②E系列高電壓源測單元

- ms級上升沿和下降沿

- 單臺非常大3500V電壓電流輸出電壓(可括展10kV)- 測定電流大小低至1nA- 確切度為0.1%

③HCPL 100高電流脈沖電源

- 輸送直流電壓達1000A- 兩臺串聯達到6000A- 50μs-500μs的智能長寬隨意調節- 脈沖激光邊沿陡(典型示范耗時15us)- 兩路口同時進行估測額定電壓(0.3mV-18V)

        而GaN HEMT器件主要工作于大功率、高效率的微波毫米電路中，其機理相對更為復雜，主要體現在器件陷阱效應和自熱效應中。GaN HEMT器件的陷阱效應會引起柵和漏滯后效應，不利于建模工作和器件射頻應用；而自熱效應主要體現在脈寬對GaN HEMT器件測試的影響。因此，針對氮化鎵(GaN)包括砷化鎵(GaAs)等材料構成的高速器件的I-V測試，普賽斯儀表全新推出的CP系列脈沖恒壓源可以高效快速解決測試難題。

①CP系列脈沖恒壓源

         

- 交流電/電磁不同電流輸入玩法- 大單脈沖直流電，高達可至10A- 超窄脈寬，低至100ns- 插卡式設定，1CH/插卡，最快可以10通路

        普賽斯儀表專業研究和開發半導體材料與器件測試的專業智能裝備，產品覆蓋半導體領域從晶圓到器件生產全產業鏈。推出基于高精度數字源表(SMU）的第三代半導體功率器件靜態參數測試方案，為SiC和GaN器件提供可靠的測試手段，實現功率半導體器件靜態參數的高精度、高效率測量和分析。

*有些圖片集特征：政府信息數據收納

*環節質料的來源：中國國家區域經濟時報《我國最后代半導體芯片企業整體來說滲入成期》郭錦輝

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