集成電路測試貫穿了從設計、生產到實際應用的全過程,大致分為:
- 構思環節的構思校驗各種測試- 晶圓加工制造分階段的加工監控設備測量- 芯片封裝前的晶圓測試- 二極管封裝后的產品自測芯片測試應用現狀
芯片測試作為芯片設計、生產、封裝、測試流程中的重要步驟,是使用特定儀器,通過對待測器件DUT(Device Under Test)的檢測,區別缺陷、驗證器件是否符合設計目標、分離器件好壞的過程。其中直流參數測試是檢驗芯片電性能的重要手段之一,常用的測試方法是FIMV(加電流測電壓)及FVMI(加電壓降測電流值)。
民俗的處理器電特性自測必須要數臺儀容義表完整,如電壓降源、交流電源、萬用表等,不過由數臺儀容義表根據的設備必須要區別采取源程序、數據同步、聯接、測量方法和講解,的時候繁瑣又需時,又需要多余自測臺的個人空間,另外采用單調用途的儀容義表和獎勵激勵源還存在著繁瑣的主動間釋放操作的,有不大的不定好性及比較慢的發送線發送速度快等常見問題,始終無法 能夠滿足高效化率自測的供給。實施芯片電性能測試的最佳工具之一是數字6源表(SMU),數字源表可作為獨立的恒壓源或恒流源、電壓表、電流表和電子負載,支持四象限功能,可提供恒流測壓及恒壓測流功能,可簡化芯片電性能測試方案。
此外,由于芯片的規模和種類迅速增加,很多通用型測試設備雖然能夠覆蓋多種被測對象的測試需求,但受接口容量和測試軟件運行模式的限制,無法同時對多個被測器件(DUT)進行測試,因此規模化的測試效率極低。特別是在生產和老化測試時,往往要求在同一時間內完成對多個DUT的測試,或者在單個DUT上異步或者同步地運行多個測試任務。
基于普賽斯CS系列多通道插卡式數字源表搭建的測試平臺,可進行多路供電及電參數的并行測試,高效、精確地對芯片進行電性能測試和測試數據的自動化處理。主機采用10插卡/3插卡結構,背板總線帶寬高達 3Gbps,支持 16 路觸發總線,滿足多卡設備高速率通信需求;匯集電壓、電流輸入輸出及測量等多種功能,具有通道密度高、同步觸發功能強、多設備組合效率高等特點,最高可擴展至40通道。
圖1:普賽斯CS系類插卡式源表
(10插卡及3插卡,高至40管道)
基于數字源表SMU的芯片測試方案
選擇普賽斯數據源表開展集成塊的開不導通測驗(Open/Short Test)、漏電流測驗(Leakage Test)并且DC技術參數測驗(DC Parameters Test)。1、開短路測試(O/S測試)
開燒壞公測(Open-Short Test,也稱間斷性性或玩公測),用作檢驗公測機系統與功率器件因此引腳的電玩性,公測的歷程是外借對地保障電子元器件大家庭中的一員-二極管采取的,公測接線路以下的圖甲中:圖2:開虛接檢查輸電線路接觸構造
2、漏電流測試
漏電流測試,稱之為為Leakage Test,漏電流測試的效果通常是質量檢驗顯示Pin腳及高阻的情形下的輸入Pin腳的輸出阻抗需不需要夠高,測試連到電路原理以下幾點所顯示:圖3:漏電流考試配電線路進行連接關心
3、DC參數測試
DC叁數設置的檢測儀儀,通常情況全是Force功率檢測儀儀電壓值和Force電壓值檢測儀儀功率,關鍵是檢測儀儀阻抗匹配性。通常情況所有DC叁數設置也會在Datasheet里頭標注,檢測儀儀的關鍵原則是保障心片的DC叁數設置值包含技術規范:圖4:DC性能指標檢驗輸電線路相連舉手
測試案例
試驗系統化手機配置
Case 01 NCP1377B 開短路測試
檢驗 PIN 腳與 GND 中間聯接工作狀態,檢驗過程中中SMU采用3V滿量程,釋放-100μA直流的電阻,限壓-3V,測定的電阻結果表 1 下圖,的電阻結果在-1.5~-0.2 中間,檢驗結果 PASS。*檢驗層面相連對比圖2
圖5:NCP1377B開出現短路公測結論
Case 02 TLP521 光電耦合器直流參數測試
光電材料交叉耦合器常見由好幾部分成小組成:光的導彈點端及光的收到端。光的導彈點端常見由夜光二級管結構,二級管的管腳為光耦的投入端。光的收到端常見是光敏晶狀體管, 光敏晶狀體管是根據 PN 結在增加正向額定電壓時,在光線問題紫外線下正向電阻器由大變小的機理來的工作的,晶狀體管的管腳為光耦的內容輸出端。 案例分析用于另整臺SMU來測試英文,整臺SMU與電子功率器件讀取端聯接,身為恒流源驅動程序發光字廣告二級管并檢測讀取端有關運作,另整臺SMU與電子功率器件傷害端聯接,身為恒壓源并檢測傷害上方有關運作。*檢查電路對接定義圖4
圖6:BVECO 測試方法的數據及曲線方程
圖7:ICEO檢驗數據文件及線性
圖8:復制粘貼因素的曲線
圖9:的輸出性能曲線方程